6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21140HR3 MRF8S21140HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
ACPR
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 5. Single-Carrier W-CDMA Power Gain, Drain
Efficiency and ACPR versus Output Power
-10
8
20
60
30
20
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
18
300
-60
ACPR (dBc)
16
0
-20
-30
Figure 6. Broadband Frequency Response
0
21
1700
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
= 28 Vdc
Pin
= 0 dBm
IDQ
= 970 mA
10.5
GAIN (dB)
17.5
1810 2250 25801920 2030 2140 2360 2470
IRL
-21
0
-10.5
-14
-17.5
IRL (dB)
14
12
50
-50
-40
3.5
14
-7
-3.5
10
1
7
10
0
ηD
Gps
2110 MHz
2140 MHz
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF
2170 MHz
2110 MHz
2140 MHz
2170 MHz
VDD= 28 Vdc, IDQ
= 970 mA, Single-Carrier W-CDMA
3.84 MHz Channel Bandwidth
100
Gain
W-CDMA TEST SIGNAL
0.0001
100
0
PEAK-T O-AVERAGE (dB)
Figure 7. CCDF W-CDMA IQ Magnitude
Clipping, Single-Carrier Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
1357924 6810
PROBABILITY (%)
W-CDMA. ACPR Measured in 3.84 MHz
Channel Bandwidth @ ±5 MHz Offset.
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF
Input Signal
-60
-100
10
(dB)
-20
-30
-40
-50
-70
-80
-90
3.84 MHz
Channel BW
7.2
1.8 5.43.6
0
-1.8
-3.6
-5.4
-9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 8. Single-Carrier W-CDMA Spectrum
-7.2
-ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
+ACPR in 3.84 MHz
Integrated BW
-10
0
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